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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。
6 \' p7 _  r/ c) g( p/ O: g0 n8 U& P. G3 _6 d; H  m  T) ]$ y
推土机实际晶体管数目大揭秘
9 Q: K+ A0 S7 o$ b1 d& k5 }5 w1 T
; p* C/ K$ O; A& [( x. ~AMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。% L0 j& m  ~/ ~9 t
6 L1 r" ~3 ^' @
市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼
  |4 k; E) L) ?2 u$ }
5 b, e8 P+ c  _CPU参数比较( X2 l/ O8 E6 G* O. u1 m
CPU& U( i8 x# o. a" G8 D
       
2 n, E7 L" Q! Y% S* O制程工艺
. Z; \' f. O! H1 F' E3 w        5 Z$ i- _. ]' P& P8 q
核心数量
. M& ?( q2 a. r4 {( V- S       
; i' a1 K5 ]2 K/ g0 _% l& Q- o晶体管数量" l: r* I5 t) a. Y5 v% O9 t$ W
       
8 ]; c6 J, p# c# n5 nDie面积8 W$ s, R' |. q, U8 g
AMD Bulldozer3 L& t5 n# t# s' x. x- \- r: |" z
       
5 s6 J, w) b" P& Y32nm
* T0 `3 S5 Y3 e$ r* S        ' M5 i( e9 Y1 I( X& ?
83 |" K: j+ q0 U, V4 }
        . b6 ^: b6 ~# @
20亿
5 O3 z4 I. B- M* o. H" v1 O) E( O: L        / _& [) q9 y: T# \$ J  A' ^
315mm2# B4 y* P' q7 f3 N/ T, a1 R
AMD Thuban
: Q$ m. @! u0 Y+ ?; m# c8 p          u2 W4 t- h* u4 j# O
45nm  M/ o$ S8 b! L/ P+ n. @$ S+ _
        * y* I$ E: s' F% [: S
6
: B4 a9 @. P7 Q' b. P' ]! n        ( g; v% K& W1 N. M" @5 t6 c
9.04亿
+ I5 t% R# R3 U5 H8 i( q        0 Q) _* |: ^" j/ @' j* D0 e
346mm26 ~* }0 S9 y5 J# T
AMD Deneb
" g( A3 C. v8 u$ H" z0 S        . w0 E' K4 P1 r, E8 a5 r
45nm8 i! @; s/ ]1 E# `8 X7 \9 g
        - k* s/ _! F6 p& ~$ k! w- X
4
3 l' N- n: X5 I9 N/ Y9 i2 P       
+ `$ X1 X; j* k% G* l5 {, s* x7.58亿
5 \& s1 c( A4 s8 m" w) J        . O: M5 J* ^0 M7 F2 K# v' e9 G9 `
258mm2
: Z6 h7 S, k( B' |6 g2 WIntel Gulftown+ n. t- _2 J% Z4 K1 ~3 \  ]; Q+ z4 ^
       
; V# M! N$ R. Y; m& Y32nm
! T  v% H& F: K5 v        # r4 n* r4 Z( T- |7 @/ X$ E
6
4 z# M( G9 J/ {. M+ m6 o       
8 Q) y) y% J  l. P0 B9 \* j11.7亿
  l5 j' G7 H" R7 T       
7 v1 P) l2 \$ r' @/ q240mm2
3 Y4 N6 j' C; [0 [, C( S1 k: OIntel SNB-E
  B9 R- S6 Z8 d" C5 j' [8 E       
1 X# G" E" L  v2 M, c8 i32nm
6 X9 F; c/ y6 k- n       
4 M  |. G6 y7 I4 J! j6
0 [3 \' ?: I% |! R4 A        % ^& T- r( D  D; X, |
22.7亿+ j4 V( D0 q6 P/ U8 Z
        4 _/ T$ K: b# h! A
435mm2: n* k% \5 t- }
Intel Nehalem3 U/ _! |; S5 e& w
       
5 M! a, Y/ Q- Q" t# f45nm
& |  d% F% w: l% z       
( [5 L1 r: @3 z9 l2 q+ d4 p4/ J* j1 H. I1 C2 g
        / e( n3 C1 q  ]! b: m, K1 T# a7 B7 @0 r5 |
7.31亿
. E' |3 S# [/ Q: c0 e       
4 V$ y: e, l% C' [( S" K263mm28 N7 y  ^1 O4 Q3 M: p6 N6 y- W
Intel SNB+ A$ o- o9 P' C& [' x" m) K- p
        ' B3 v4 r! ?/ g) ~  u. X: m' \, |
32nm1 ?/ K! H) {% r" A, R  f5 f
        ( u- @2 z( a$ o1 ~9 U* t
4* k! \- B" f8 p
       
2 _, b2 [0 C' J4 E9.95亿8 e# |! ]( y! D" I
       
" [5 p, q3 n4 W" Y/ j' Y216mm2, U* k% l( y. t& ]
Intel Lynnfield
) R! q- k/ h; g/ G1 p        9 N$ G! B4 D  {& Z3 R
45nm
  v  |5 d5 `& D5 B       
7 [: ~3 N: {8 A1 r/ a4
2 h: x6 N) ]# A        6 X  _7 g# l, ]! E5 F9 ^! ]  X6 B
7.74亿
- g( a. Z3 |- v% Q% v5 W        4 \/ x9 p* \5 w& o+ R  {5 j9 |% H
296mm2
  c* u- k2 |& z' U4 ^' Z" XIntel Clarkdale
; Y3 }' A# V6 C- m3 x) m        4 y7 V5 A( Z; b, b; }( x3 N
32nm& k2 c& c3 m' ?2 h! `
       
/ P- z' Z8 }# b: P  [4 X" O2, y! a' g  n1 ]6 \5 K+ `( k
       
; S" |8 g0 W. K8 g. `+ n' N3.84亿! r3 I' K% a5 g  B* V. }( j
        4 ?$ B. s) O$ ~
81mm2
; Z, \1 {. |' ?8 J# x( e* cIntel SNB(GT1)9 \. x' i' Q; Y( w, A0 |- W5 e5 x, p
       
$ P8 T- k7 T* ~* I7 g2 Q32nm
* i& |  l5 o! H2 G       
0 |1 l) ^) M+ z2 @; ~2
& P' Z5 l5 R- D6 M# |        1 m; o9 k9 i9 o, z
5.04亿5 ?& u2 z3 Y6 |8 a) W" I( V
       
# s, u. ]+ y8 c* q( H0 V/ d131mm27 x$ C( C0 ^1 l
Intel SNB(GT2)
/ h8 N8 j5 p8 j4 J6 K       
9 Q- c/ s1 j( ~6 f  j) ]32nm
* p: C8 H/ B+ b6 {  h7 d1 g0 k5 @        : h9 [* G; G4 v
2; e& C5 F0 }6 v" G4 @- W1 y
        % Y0 t4 e6 [  D# g4 I  n
6.24亿" d/ f1 S' z  U% b5 b& Z
        ( H# W5 p1 K# i/ E8 W
149mm2
! Y. ^7 Q) d8 z" ~9 B' q
' Q, u- V) v7 q- u9 X+ H尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。
% O  t2 [6 i1 a& X! l3 ~
. H& y& [7 ]0 B# s6 L3 h推土机实际晶体管数目大揭秘
" ~% I: {, @. T) v! |) ~8 j9 V2 p, f0 Y/ f/ B
晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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