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推土机晶体管数目大揭秘 凭空减少8亿?

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发表于 2011 年 12 月 3 日 19:36:33 | 显示全部楼层 |阅读模式

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据著名硬件网站Anandtech创始人兼站长Anand Lai Shimpi刚刚透露的消息,AMD公关部门和他取得联系,称此前八核心推土机架构CPU的晶体管数量有误,实际数量不是20亿而是12亿。
/ }8 d) F/ q- Y7 |. Z: D
) q: Q5 y' \8 ]& m4 s推土机实际晶体管数目大揭秘
) V9 h! K- `; K
! ~6 X- D* I' Z1 c* Z+ s3 ]1 rAMD没有对新的数字做出进一步说明,也没有透露为何此前公布的数字有误。AMD PR补充,4模块8核心推土机的die面积没有变化,仍为315平方毫米。; a: M2 S( W* V5 k* ?# o7 K5 j
3 y3 o9 I3 C( R1 P! Y  ?
市面常见CPU核心数量、制程工艺、晶体管数量与die面积大比拼
% I6 w2 Q7 X' X5 |9 f9 q/ ^# Z* N' K1 w/ k$ K8 K
CPU参数比较) X4 r% p2 V4 Z
CPU7 ^& Y+ y. n! E
        . I: F; W: T5 u/ Q" q, a
制程工艺
3 D& U. ], L' X6 R# F; {! d        / t( o+ [  P2 t, o% l
核心数量% Z9 N6 e& M4 @% n0 Y9 g3 F& v
        7 }. i. A- g" _( c( `2 l) \
晶体管数量! E- t( B: ^: [# L% N! u6 m
        - \" @/ h) O4 i
Die面积3 r5 N( [& T9 K* T% o
AMD Bulldozer3 E; H% X7 Y4 O/ y% e
       
" a9 |! t. Y. R4 ~) W; _32nm) H4 d% `# F* x" p" [4 ?1 E3 x
        4 v* y7 e3 K6 \
8
. G! ]& Y! H9 d  g0 o       
% J7 w2 h5 c- Q9 S) I/ a20亿) t3 a( ?0 N% E; P: e" k
        3 z) v+ u- b8 t8 ?; O% l+ P0 s
315mm28 @- A$ L) Y9 q) J% k, S
AMD Thuban5 G7 H" o9 \' g+ U! w+ S6 A
       
+ m2 f& W9 e8 a; X3 N( }. N45nm
% l' \, c4 A; I+ m9 S( s       
7 O$ _1 ^; ?4 [& i4 s6 ?6
3 R" Z+ E1 M7 U* w  i  A* k        % S, d. |8 d3 {
9.04亿
1 c4 \$ g3 O; o7 d  C' }       
; a' ]0 T% u- v/ i' t& ?346mm2
& |" V, w5 g& ?5 mAMD Deneb
# Q. [$ a0 f9 R: `, B4 u        / V6 O" M/ ^! z: h) Y
45nm1 N, ?; |+ v- u7 p8 e
        ' v2 j- d2 J; i5 @$ G+ X
49 n4 Q, g% E  F8 j# d+ h
       
. Q) z/ m6 ?$ H8 V) W7.58亿
& S# V0 n* v  \8 O       
" Y. ~$ V  v" p258mm2
% t" Z9 W" x* E5 l( C  D/ H5 @8 FIntel Gulftown
8 x# j9 a' |- g0 h- Z4 m$ M) n+ J       
: c! e8 ]3 y  v$ R( P5 ]' M% M, W  O$ k32nm
4 Z0 }+ _2 I" ?/ s, i  h: R        " e% |7 X/ ?+ c0 @# @) G
66 k4 Z" l' Z& G2 {7 D: H* C
       
8 d) j, o# Z6 O# M/ f9 T11.7亿
6 f+ k- ^! S" N6 B2 \" T! W$ j7 q        * b# b2 y$ c8 {+ n
240mm2$ f( p& _; h7 U/ n
Intel SNB-E  I) q1 o: j9 ~, S, R
       
+ h/ l, V& B/ S* j7 J  X0 n32nm
: k/ Q" u; r% O. _1 K: o) E" B. P" |       
. e+ S/ g" T+ @% V& D6! J. H+ C' k. c- u/ ^5 r6 ]
        1 A- O* l1 p" X% U" K
22.7亿: @, P8 M7 w& l; M. L0 H6 L
       
0 M; {, w5 k2 D+ a: }( |8 @435mm29 p! n6 T* e- M; D1 j) u
Intel Nehalem
" ]* j5 ]* ^/ N6 i: I        6 I; w. Z% P2 i3 U
45nm$ e0 P1 |' u0 m: a! e) z% B
       
$ b. G4 N, m( R4
5 d/ l& R+ |) V& p# r3 p        3 X4 i: ?) G) o/ {" u" i1 z9 x" E
7.31亿* L5 p6 d; O0 d2 W% L
        - u9 V6 d, t! Z1 w, ~  S( J, U$ I
263mm2
; k. A( F" g1 G2 D/ HIntel SNB
3 P" v2 O% L2 E- i4 t/ z) G9 G* i       
8 S9 S! u7 L0 E- B2 v32nm' T" [2 p# f" a; _! V2 N* ?  Q
        - X3 j' B  L& m- d% g8 }, F
4
6 f" i/ k6 B! a  M6 h  l  G        9 o6 P; K* ^6 T1 ~3 t
9.95亿
6 T' R( A/ U: }* m- {$ I       
7 \! h0 }8 S6 e9 A6 G216mm27 g4 J6 l( G% ]' t8 ^+ K
Intel Lynnfield
+ G% a9 w2 g( ~) V/ W' ~  ?        + v0 `( {/ C. t2 H
45nm  E8 U+ S( D) m4 D: W# K
        5 [: O# A: j4 `' _6 v/ P
4
' j% A- g6 m8 ^* V0 _1 O        2 X( x( F; D9 C  P# `
7.74亿
8 h. b$ {7 H7 B  G- g, {0 b        2 P- R/ S, t& A" p
296mm2
, w3 N4 t* T# W+ ^/ k- JIntel Clarkdale
/ H" s9 x4 P' V# |# w8 n' r% A* z       
& y' Z, ^* O) @32nm6 @9 v# s4 s' \, A4 h7 C6 i
        6 ?( D  Z6 I( }! x9 A; J
2! y3 j* x( x% \2 D  ?1 \$ ]
        4 h' [. g9 q* c6 b. c" a
3.84亿" I- h/ l, l' g9 u2 v
       
, {& `" w, D2 h% T% _0 d81mm2" G; y7 P' k- a6 D" _* ~0 r
Intel SNB(GT1)" o, o" u% W& U/ C6 M) |) y# g
       
4 Y6 ^3 g: x: h: P32nm1 J5 N6 s4 P* \* ?% R' z+ X2 b
       
! `2 y5 O* B4 @0 q. ~2" U: \& x2 s: {- h
        * M  T8 L) n/ U
5.04亿. M3 V2 j" z3 o6 A
        % v( t. f, W* |8 j2 }
131mm2
  m; t7 }- H1 e" X* GIntel SNB(GT2)
1 G2 P( m2 }8 I2 A1 a       
" \6 l$ s4 N8 r' S) a/ _4 |2 G32nm7 ^( ]' z9 N6 @- ?4 y! z; v0 G6 {
       
0 A% b) }0 b( j2# `0 G1 c( T! J7 P
        % z$ n: x2 \* P5 Z0 p
6.24亿
$ X' W* h& k. }3 z, M       
3 |5 Z+ F/ \! h5 A# {$ M3 i149mm2
' a: I; [) b2 E" P8 @
; y6 u+ S0 O- G) M' o: g! l尽管实际的晶体管数量削减了约40%,不过AMD首款32nm工艺的高端CPU晶体管密度还是远大于它的45nm产品。% q( p1 U, ^: N9 C- n+ f) s- L

  v0 r( n  t5 x% Z% c9 z; G推土机实际晶体管数目大揭秘
( K& M- L8 S  B  t
; H! @6 M5 J& g2 d1 q. L7 F) n晶体管密度不仅仅取决于制造工艺,包括芯片的细节比如逻辑模块、缓存部分和I/O晶体管都对die的最终设计有影响。高晶体管密度通常更受制造工厂的欢迎(每die的缺陷更少,一块晶圆能切割的成品更多,成本更低等),不过对于终端用户来说这都无所谓,性价比或者能耗比才是王道。
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